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脉冲激光沉积设备

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L-MBE450A/B激光分子束外延设备

2017-03-06 点击量：

1. 由脉冲激光做溅射源，将预外延材料原子溅射出来在衬底外延沉积得到单晶薄膜，RHEED电子枪做原位监测
2. 可放多块不同尺寸靶材, 靶台可公自转，靶基距连续可调
3. 样品台衬底可自转，可加热

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L-MBE450A/B激光分子束外延设备

1. 由脉冲激光做溅射源，将预外延材料原子溅射出来在衬底外延沉积得到单晶薄膜，RHEED电子枪做原位监测 2. 可放多块不同尺寸靶材, 靶台可公自转，靶基距连续可调 3. 样品台衬底可自转，可加热

1. 由脉冲激光做溅射源，将预外延材料原子溅射出来在衬底外延沉积得到单晶薄膜，RHEED电子枪做原位监测
2. 可放多块不同尺寸靶材, 靶台可公自转，靶基距连续可调
3. 样品台衬底可自转，可加热